2019年天津理工大学809半导体物理考研初试大纲

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天津理工大学2019年硕士研究生入学考试大纲

一、考试科目：半导体物理 (809)

二、考试方式：考试采用笔试方式，考试时间为180分钟，试卷满分为150分。

三、试卷结构与分数比重：

填空及选择题：20%;简答题：20%;综合题：60%。

四、考查的知识范围:

1.半导体中的电子状态(10%)：能带论，半导体中的电子运动、有效质量，本征半导体的导电机制、空穴，锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。

2.载流子的统计分布(15%)：状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度。一般情况下的载流子的统计分布。

3.半导体的导电性(15%)：载流子的漂移运动，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼方程;强电场效应，热载流子。

4.非平衡载流子(20%)：非平衡载流子的注人与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动、连续性方程。

5.PN结(15%)：PN结及其能带图，PN结电流电压特件。

6.金属和半导体的接触(10%)：金属和半导体接触的整流理论，少数载流子的注人，欧姆接触。

7. 半导体表面与MIS结构(15%)：表面电场效应，理想与非理想的MIS结构的C-V特性，Si-SiO2系统的性质，表面电导。

五、参考书目：

见2015年研究生招生专业目录