重庆大学

 

1982年上海复旦大学毕业，获理学学士。1984年，重庆大学研究生毕业，获理学硕士。

1985-1995年，西安交通大学物理系教师，1994年聘为副教授。

1995-1998年，上海冶金研究所攻读博士学位，研究磁性多层结构中的交换耦合及相关问题，1998获理学博士。

1998-2002年，西安交通大学理学院教师，1998年聘为教授，2000年聘为博士生导师。

2002至今，重庆大学物理学院教师，教授，博士生导师。

近年来，王少峰教授致力于根据离散晶格动力学建立全离散位错晶格理论，导出能够刻画位错芯结构及其性质的位错方程，发展位错方程的有效近似求解方法，并将新理论广泛应用于铜、铝、铁等金属和合金，半导体硅，碳纳米管，石墨烯等材料中的位错。位错晶格理论确定了材料声子谱对位错的结构及其物理性质的影响，确定了材料广义层错能对位错的结构的影响，并且可以揭示位错芯重构、位错扭折等复杂的过程和现象。这对于在原子和电子微观层次上理解认识材料的延展性、脆性和强度等宏观性质有着重要的理论意义。近十年来，位错晶格理论获得国家自然科学基金三次持续资助，在国际主要物理学期刊发表论文30余篇，研究工作受到同行的关注和肯定。