中国矿业大学（徐州）

个人简介

盖艳琴，女，1980年3月出生于山东海阳，中国矿业大学理学院副教授，博士研究生。多年来一直从事宽带隙半导体材料掺杂改性的理论研究，发表包括PRL,PRB,APL,JPCC等SCI论文十多篇，主持国家自然科学基金两项(现已结题)。

Email：yqgai@cumt.edu.cn

研究领域

宽带隙半导体材料掺杂改性的理论研究

科研项目

1、主持 国家自然科学基金—科学部主任专项基金项目“能带调控提高ZnOp型掺杂效率的理论研究”(11047130)

2、主持 国家自然科学基金—青年科学基金项目“晶格缺陷在ZnO基d0铁磁体中所起作用的理论研究”(11104345)

3、主持 中国矿业大学青年科研基金 项目“半导体合金Zn1-xBexO中缺陷和掺杂的理论研究”(2009A047)

4、主持 中国矿业大学“启航计划”科研基金项目“半导体合金Zn1-xBexO中缺陷和掺杂的理论研究”

5、主持 中国矿业大学教育部“理科专项基金”项目“晶格缺陷对ZnO中磁性影响的理论研究” (2010LKWL03)

6、参与 国家重大基础研究计划(973)子课题项目“ZnO的能带、掺杂与极化的理论研究” (2011CB302003-1)

发表论文

1. Yanqin Gai, Jingbo Li, Shu-Shen Li, et al. Design of Narrow-Gap TiO2: A Passivated Codoping Approach for Enhanced Photoelectrochemical Activity. Physics Review Letter, 2009, 102, 036402.

2. Yanqin Gai, Jingbo Li, Shu-Shen Li, et al., Design of shallow acceptors in ZnO through novel compensated donor-acceptor complexes: A density functional calculation. Physical Review B，2009, 80, 153201.

3. Yanqin Gai, Haowei Peng, and Jingbo Li, Electronic Properties of Nonstoichiometric PbSe Quantum Dots from First Principles. Journal of Physical Chemistry C, 2009, 113 (52): 21506-21511.

4. Y. Q. Gai, B. Yao, Z. P. Wei, et al. Effect on nitrogen acceptor as Mg is alloyed into ZnO. Applied Physics Letters, 2008, 92, 062110.

5.Yanqin Gai, Jingbo Li, Bin Yao, and Jian-Bai Xia. The bipolar doping of ZnS via native defects and external dopants. Journal of Applied Physics, 2009, 105, 113704.

6. Y. Q. Gai，B. Yao，Y. F. Li，et al, Inffuence of hydrostatic pressure on the native point defects in wurtzite ZnO: Ab initio calculation. Physics Letters A, 2008, 372 (30), 5077.

7. Y. Q. Gai，B. Yao, Y. M. Lu, et al. Electronic and optical properties of ZnO thin film under in-plane biaxial strains: Ab initio calculation. Physics Letters A, 2007, 372, Issue 1, 72.

8. Yanqin Gai, Jingbo Li, et al., Deep levels in high resistivity GaN detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations. J. Phys. D: Appl. Phys. 2009, 42 155403.

9.Ping Ma, Yanqin Gai, Junxi Wang, et al. Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN Multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O2. Applied Physics Letters, 2008, 93,102112. 【本人为通讯作者】

教学活动

承担《大学物理A(1)》，《大学物理A(2)》及《大学物理B》的本科教学工作。