中国科学技术大学

韦世强
单位：国家同步辐射实验室
地址：合肥市第6022信箱
邮编：230029
电话：+86-551-63601997
个人主页：http://xafs.nsrl.ustc.edu.cn

个人简历  Personalresume 
韦世强，男，教授，博士生导师，国家杰出青年科学基金、中科院“百人计划”获得者，973计划项目首席科学家，创新研究群体科学基金项目学术带头人，现任中国科学技术大学国家同步辐射实验室首席科学家。主要从事同步辐射实验新方法及其应用的研究工作，

1979--1983年：广西师范大学化学系本科生；
1986--1992年：中国科学技术大学化学物理系硕士、博士研究生；开始同步辐射XAFS的学习和研究工作；
1992--1994年：中国科学技术大学基础物理中心博士后，94年晋升为副教授；
1996--1999年：日本的高能物理研究所(KEK,PF)，博士后和客座研究员，参加了日本KEK光子工厂的BL-13B表面XAFS站的建设及应用研究；
1999年：中国科学院“百人计划”引进回国优秀杰出人才，负责主持合肥国家同步辐射实验室XAFS实验站的建设和管理工作，晋升为教授；
2008年起任中国科学技术大学国家同步辐射实验室首席科学家。

获奖情况：
1998年中科院“百人计划”获得者、
2003年获安徽省“江淮十大杰出青年”称号，
2004年获中国科学技术大学“王宽诚育才奖”二等奖，
2007年9月获国家自然科学杰出青年基金。
2010年11月获中国科学技术大学第五届“杨亚校友基金-教育奖”，
2012年10月获中国科学院朱李月华优秀教师奖，
2012年11月获中国科学院优秀研究生指导教师奖。

担任期刊审稿人或学术组织兼职情况：
《核技术》期刊英文版副主编
我国同步辐射专业委员会常务理事；
合肥国家同步辐射实验室学术委员会委员；
北京同步辐射实验室用户委员会主任；
上海光源XAFS光束线站用户专家工作组成员兼工作组召集人；
中国科学技术大学学位委员会委员；
核科学与技术分学位委员会副主任；
安徽省政协常务委员。

韦世强教授带领的科研小组已有三十多名成员，现组内人员有教师10人、博士后3人、博士研究生9人、硕士研究生10人。2000年组建了合肥XAFS研究中心，首次提出采用积分电荷量测量XAFS信号解决合肥光源低通量存在的低信噪比问题，使得主持改造的XAFS实验站性能指标达到国际同类水平，研发了自主知识产权的XAFS数据分析软件包，为国内培训了大批XAFS研究人员，为合肥、北京和上海的同步辐射装置培养了一批技术骨干，建立了一个服务于国内众多用户的同步辐射XAFS研究平台，为许多用户取得高水平的研究成果起到很好的支撑作用。为了解先进功能材料的反应动力学机理和变化过程，研究组积极开展快时间、高空间和能量分辨的同步辐射新方法的研究，取得了一系列的重要研究成果：
①首次利用高温原位同步辐射XAFS技术，研究了温度驱动下钒氧化物金属-绝缘体相变过程中原子空间结构和电子结构的变化规律，解决了长期以来对相变机理的争论；建立和发展了原位时间分辨XAFS技术研究液相纳米颗粒的生长动力学过程，首次提出金纳米颗粒初期成核过程中经历生成二聚体路径的新观点；设计并利用联合在线原位测量的时间分辨XAFS/UV-Vis装置，观察到通过改变还原剂的强弱可以操纵还原反应初期成核的路径，进而实现Pt纳米晶形貌的一维和零维形貌的控制合成；还研究了溶剂交换反应脱附由十三个Au原子组成的纳米团簇表面覆盖的硫醇分子的动力学过程，观察到Au团簇原子排列的对称性从二十面体到立方八面体的转变；这些成果为设计和合成新型功能材料提供了实验和理论基础。
②在太阳能光解水方面近期取得一系列重要研究成果，我们提出一种通过形成“矢量迁移通道”的能级结构，通过将一层2~3nm厚的Fe2TiO5窄禁带(2.2eV)半导体材料包覆在高度有序的TiO2纳米管阵列表面，成功地将光生空穴从材料内部定向迁移到表面催化反应活性位点，使得Fe2TiO5/TiO2复合结构在400-600nm波长范围的量子转换效率高达40%以上。再之，我们还合成了自支撑的4个原子层厚度的ZnSe纳米片，其光电转换效率在450nm的可见光波长达到42.5%。并利用直接液相剥离的方法获得了自支撑3原子层厚的SnS2单层结构，在420nm单色光照射下，可获得高达38.7%的光电转化效率。基于廉价的TiO2半导体材料，设计了一种N-S阴阳离子共掺杂的改性模式，能够有效的传输可见光激发的光生空穴。整体可见光下的转换效率提高了5倍，进一步的，制备出ZnO@S掺杂ZnO类核/壳纳米复合材料，提出表面层掺入S原子产生俘获空穴的能级，抑制了光生电子-空穴复合，从而提高了能量转化率达8倍左右。
③在研究稀磁半导体中，首次采用XAFS结合第一性原理的方法研究其磁性金属离子在晶格中的分布情况及其磁性来源；近期，利用量子点核壳结构Co掺杂ZnO表面包覆ZnS或Ag2S壳层实现调控掺杂磁性离子能级在带隙间的相对位置，进而操纵磁相互作用；同时，利用低温模板生长法得到了半晶胞厚的阿尔法-Fe2O3纳米片，实现了反铁磁性-铁磁性的转变。同样的，制备出4个原子层厚度MoS2纳米片，在层状非磁性材料中通过S空位诱导产生带有2µB磁矩的相变，并使之实现铁磁性耦合。同时利用XAFS方法阐明了过渡金属离子在单分子磁性材料中调控自旋态机理；发现了Mn掺杂NiO的“价态依赖操纵的磁性物质”。在研究半导体量子体系的结构中，首次提出了优化的多重散射XAFS方法研究中心原子的高配位壳层结构，得到国际同行的认可和称赞。